立即询价 4 月 23 日 台积电 High-NA EUV
发布时间：2026-04-24
台积电在最新技术路线说明会上正式公布先进制程与 EUV 设备的全新调整规划，核心做出重大产能与设备节奏变更：推迟 High-NA EUV 光刻机规模化量产应用，2029 年之前不会落地搭载该设备的量产工艺。此前行业普遍预期，台积电会快速导入天价 High-NA EUV 设备，用于 2nm 以下、1.4nm 及更先进制程研发生产，单台 High-NA EUV 光刻机采购成本高达 3.5 亿欧元，叠加
台积电在最新技术路线说明会上正式公布先进制程与 EUV 设备的全新调整规划，核心做出重大产能与设备节奏变更：推迟 High-NA EUV 光刻机规模化量产应用，2029 年之前不会落地搭载该设备的量产工艺。
此前行业普遍预期，台积电会快速导入天价 High-NA EUV 设备，用于 2nm 以下、1.4nm 及更先进制程研发生产，单台 High-NA EUV 光刻机采购成本高达 3.5 亿欧元，叠加配套厂房改造、供电、制程适配、良率调试等额外成本，整体投入规模极其庞大。
台积电管理层明确表态，现阶段 High-NA EUV 综合成本过高、量产经济性不足，且现有常规 EUV 工艺仍有充足性能与优化空间，因此战略转向深挖现有成熟 EUV 制程潜力，不再激进推进超高阶设备落地，优先控制研发与建厂成本，平衡高端芯片产能投入与盈利水平。
同步官宣两大全新制程方案，完善高低端全覆盖布局：
- A13 制程：规划 2029 年正式投产，定位顶级高性能计算、AI 芯片、超算处理器等高端赛道，持续迭代优化现有 EUV 架构，满足旗舰级芯片的晶体管密度、功耗与性能需求；
- N2U 制程：作为 2nm 工艺的改良升级版，主打性价比路线，针对性适配智能手机、轻薄笔记本、边缘端轻量化 AI 芯片等大众消费电子与中端算力产品，以成熟工艺改良降低生产成本，快速填补中端先进制程市场缺口。
本次路线调整，意味着全球先进芯片制程竞赛节奏放缓，行业从 “一味追求制程数字迭代” 转向成本、良率、需求匹配的理性发展阶段，同时也为全球晶圆厂、芯片设计企业的产品研发规划，带来中长期技术路径的重要变量。
相关新闻
一、全球资本市场：存储股集体暴涨1. 韩国市场（核心主战场）SK 海力士：盘中涨幅一度突破13%，创年内单日最大涨幅纪录；港股相关杠杆 ETF（两倍做多海力士）大涨超21%。三星电子：盘中涨幅超10%，截至发稿当日涨幅达9.80%，报 190,500 韩元；机构目标价显示后续仍有 **31%** 上涨空间。2. A 股与港股市场A 股存储芯片板块：整体涨幅超2%，截至
2026-03-11
一、案件终审结果（2026 年 5 月 8 日）美国国际贸易委员会（ITC）就第 337-TA-1414 号调查作出最终裁定：核心结论：中国氮化镓（GaN）功率器件龙头英诺赛科，其当前在售产品未侵犯英飞凌任何涉案专利。具体裁定：ITC 全体委员一致认定：英诺赛科现有产品未侵犯英飞凌两项核心专利：US 9,070,755（涉及 GaN 器件电极设计专利）US 9,899,481（涉及 Ga
2026-05-09
据最新消息，美国总统特朗普已批准英伟达向中国出口其H200人工智能芯片，但要求从销售额中抽取25%作为分成。这意味着英伟达在游说美国政府放宽对华芯片出口限制方面，取得了关键进展。此次批准被视为一种“妥协”。此前，英伟达一直希望向中国销售其更先进的Blackwell系列芯片，但美政府目前仍明确表示不赞成。H200芯片性能虽低于Blackwell，但强于此前已获准对华出口的H20芯片，主要用于AI模型
2025-12-10
