立即询价 英特尔 + 力积电 + 软银将展示 9 层 DRAM 堆叠，AI 内存功耗大降
发布时间：2026-05-23
集邦咨询 5 月 22 日发布博文，基于VLSI 2026（夏威夷）会议泄露的预发布摘要：力积电（PSMC）、英特尔、软银旗下 SAIMEMORY将联合展出新一代Via‑in‑One TSV架构，用于9 层 DRAM 堆叠，面向AI 训练 / 推理、高性能计算（HPC）场景，主打更高带宽、更低数据搬运功耗。一、合作背景：ZAM 项目扩军英特尔与 SAIMEMORY 此前已在推进Z‑Ang
集邦咨询 5 月 22 日发布博文，基于VLSI 2026（夏威夷）会议泄露的预发布摘要：力积电（PSMC）、英特尔、软银旗下 SAIMEMORY将联合展出新一代Via‑in‑One TSV架构，用于9 层 DRAM 堆叠，面向AI 训练 / 推理、高性能计算（HPC）场景，主打更高带宽、更低数据搬运功耗。
一、合作背景：ZAM 项目扩军
英特尔与 SAIMEMORY 此前已在推进Z‑Angle Memory（ZAM）高带宽内存项目，力积电（PSMC）作为关键制造方加入，补齐先进晶圆堆叠、融合键合（fusion bonding）工艺能力，三方形成 “IP + 设计 + 制造” 联盟，直接对标三星 / SK 海力士 / 美光主导的HBM市场。
二、核心技术：Via‑in‑One TSV 9 层堆叠
本次要公布的是一种全新 3D DRAM 堆叠方案，官方称为 Via‑in‑One TSV（一体化硅通孔），并已完成9 层定制 DRAM 晶圆堆叠的功能验证与可靠性测试。
关键指标（摘要披露）
- 带宽：0.25 Tb/s/mm²（单位面积带宽，显著高于现有 HBM）
- 功耗：＜0.35 W/mm²；单比特能耗＜0.7 pJ/bit（比当前 HBM降低近一半）
- 工作电压：0.95V–1.2V，适配低电压 AI 推理场景
- 堆叠层数：9 层（单栈，无需多芯片拼接）
工艺要点
- Multi‑wafer via‑last（多晶圆后通孔）：先键合晶圆、再打 TSV，降低高堆叠下的刻蚀 / 填充难度，提升良率。
- 超薄硅基底（ultra‑thin Si）：每层 DRAM 减薄至数微米级，降低电阻、改善散热。
- 高密度氧化物沟槽 TSV + O 型互连：提升信号完整性、降低接触电阻，适配高频高速传输。
三、性能对比：碾压 HBM4
以10GB 模块、171mm² 裸片为例，基于 ZAM 的HB3DM（高带宽 3D 内存）实测带宽可达≈5.3 TB/s；而HBM4 单栈约 2 TB/s，新技术带宽翻倍以上，同时功耗减半。
对 AI 训练 / 推理而言，内存 “数据搬运功耗” 往往占整机功耗40%–60%；该技术在带宽↑、功耗↓、散热更好三方面同时突破，直接缓解 AI 芯片 “算力够、内存拖后腿” 的瓶颈。
四、行业影响：HBM 格局或将重塑
目前HBM 市场由三星、SK 海力士、美光垄断，价格高、交货周期长、堆叠层数受限（主流 8 层）。英特尔 + 力积电 + 软银的9 层 Via‑in‑One方案，以更高带宽、更低功耗、更可控良率切入，有望在2027–2028 年实现量产，直接挑战三巨头在 AI/HPC 内存的主导地位。
五、展出安排
该技术将在2026 年 6 月中旬于夏威夷举办的VLSI Symposium 2026上正式宣读论文并公开细节，包括测试数据、良率曲线及量产路线图。
相关新闻
中核集团实现 99.99% 高纯度硅 - 28 同位素量产，补齐硅基量子芯片核心原料短板
一、官方发布核心信息2026 年 6 月 15 日，中核集团通过央视新闻、新华网、科技日报等官方媒体正式对外公布重大材料攻关成果：旗下核工业理化工程研究院完成丰度 99.99% 以上硅 - 28 稳定同位素工业化公斤级量产，全部产品关键参数对标国际顶尖标准，彻底打破海外少数国家长期垄断高丰度硅同位素分离制备技术的局面，填补国内产业链空白新华网。实验室提纯设备硅-28成品气瓶该项目由核理化
2026-06-16
暴增 134%! 芯片，突传利好！韩国芯片出口延续强劲涨势！今日（2 月 23 日），韩国公布的数据显示，2 月前 20 天，受人工智能与数据中心投资拉动，韩国芯片出口同比暴增 134%。韩国海关今日公布的数据显示，经工作日差异调整后，2 月前 20 天芯片出口同比增长 47.3%，创下近五年同期新高。芯片出口额达 151.15 亿美元，在全国总出口中的占比从去年同期的 18.3% 飙升
2026-02-25
一、发布主体与时间2026 年 5 月 15 日上午，国家信息光电子创新中心（NOEIC，武汉光谷） 正式对外宣布：成功自主研发250GHz 超宽带光子芯片，完全自主知识产权，带宽创全球同类器件最高纪录。二、核心参数与技术突破芯片规格尺寸：<1cm × 1mm（约指甲盖大小）带宽：250GHz（是当前 5G 核心芯片带宽的5 倍以上）核心材料：薄膜铌酸锂（TFLN）+ 磷化铟（
2026-05-16
