SK 海力士 375 层 NAND 完成验证，2026 年底清州 M15 量产，字线全面钼替代钨

发布时间：2026-06-12

一、核心量产规划6 月 11 日韩媒 The Elec、科创板日报等多方同步披露消息：SK 海力士新一代 375 层 V10 系列 3D NAND 闪存已经走完全流程生产验证，良率、稳定性达标量产门槛，敲定2026 年年底正式量产。产线安排：不新建厂房，改造韩国清州 M15 工厂现有产线。M15 原本量产 176 层、238 层、321 层 NAND，改造后逐步置换产能生产 375 层新

一、核心量产规划

6 月 11 日韩媒 The Elec、科创板日报等多方同步披露消息：SK 海力士新一代 375 层 V10 系列 3D NAND 闪存已经走完全流程生产验证，良率、稳定性达标量产门槛，敲定2026 年年底正式量产。
  1. 产线安排：不新建厂房，改造韩国清州 M15 工厂现有产线。M15 原本量产 176 层、238 层、321 层 NAND，改造后逐步置换产能生产 375 层新品，大幅压低建厂巨额资本投入。
  2. 层数调整背景：该项目最初内部定位 400 层级 NAND，因超高堆叠下信道孔深度蚀刻、薄膜均匀度等工艺难题难以短期攻克，下调至 375 层落地；远期技术路线已锁定 480 层、604 层两代更高层数产品接续迭代。

二、颠覆性技术：钼（Mo）全面替换传统钨（W）做字线

这是本次升级远比重叠层数更关键的行业材料变革，也是近 20 年 3D NAND 字线金属体系最大切换。

1. 字线作用

字线是 3D NAND 里横向贯穿数百层存储单元的控制线，负责选中单排存储颗粒，它的导电能力、薄膜填充能力直接决定芯片读写速度、容量密度与功耗，堆叠越高，材料短板越放大。

2. 传统钨材料的瓶颈

  • 层数拉高、线宽不断微缩后，钨电阻率急剧升高，信号传输延迟变大，读写、擦除速度被限制，无法匹配 AI 服务器高速 SSD、企业级大容量存储需求；
  • 钨沉积填充深窄孔洞前，必须先镀一层氮化钛阻挡衬垫层，层层叠加占用垂直堆叠空间，挤压单位面积比特容量上限。

3. 钼材料两大核心优势

  • 同等细线宽下电阻率远低于钨，信号损耗小，直接提升闪存读写性能，适配 AI 高速存储场景；
  • 无需额外阻挡衬底，可直接填充深孔结构，节省垂直空间，同等堆叠高度下能塞更多存储单元，提升芯片密度。

三、制程设备与工艺难点

钼量产门槛远高于钨，核心痛点：钼前驱体常温是固态，必须全程高温加热输送、精准控量控速，对沉积设备精度要求极高。
SK 海力士对比泛林（Lam Research）单晶圆处理机型、东京电子（TEL）炉式设备后，选定东京电子批量炉式沉积系统；单炉一次可处理 100 片晶圆，设备成本、厂房占地、物料消耗综合性价比更适配大规模量产。

四、全球同行进度对比

  1. 三星：行业率先商用钼方案，2024 年 4 月量产 286 层第九代 NAND 时已导入钼字线；其 400 层 + 第十代 NAND 计划 2026 下半年出货，全程钼基架构；
  2. 美光：规划 2027 年高端超高层 NAND 全线切换钼替代钨；
    至此全球三大存储巨头全部确认 “钼替代钨” 是 400 层以上 NAND 唯一可行技术路线，宣告存储芯片正式进入钼金属时代。

五、市场连锁反应

消息 6 月 11 日早盘放出后，A 股钼金属板块盘中快速拉升；机构解读：未来 2–3 年高层 NAND 扩产潮会持续拉动高纯半导体钼靶材、钼前驱体需求，上游材料供应链迎来长期增量空间；存储芯片景气度预期进一步走强，当日费城半导体指数同步走高。

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工信部 6 月 10 日正式印发《“人工智能 + 信息通信” 创新发展实施意见 (2026—2028 年)》，重点攻坚高端光电芯片、CPO、高速交换芯片，配套升级 400G/800G 算力骨干光网

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