长鑫存储 LPDDR6 验证收尾，下半年量产

发布时间：2026-08-03

一、事件核心通稿（证券时报 / 第一财经 8 月 2 日综合产业消息）2026 年 8 月 2 日，海内外半导体产业链统一确认国内 DRAM 龙头长鑫存储 CXMT自研新一代 LPDDR6 低功耗内存芯片，全流程研发验证正式进入收尾阶段。该产品早在 2026 年 3 月已向国内头部手机、端侧 AI 设备厂商完成客户送样、联合适配调试，企业明确规划2026 年下半年启动小批量试产与商用导入

一、事件核心通稿（证券时报 / 第一财经 8 月 2 日综合产业消息）

2026 年 8 月 2 日，海内外半导体产业链统一确认国内 DRAM 龙头长鑫存储 CXMT自研新一代 LPDDR6 低功耗内存芯片，全流程研发验证正式进入收尾阶段。该产品早在 2026 年 3 月已向国内头部手机、端侧 AI 设备厂商完成客户送样、联合适配调试，企业明确规划2026 年下半年启动小批量试产与商用导入，有望跻身全球首批实现 LPDDR6 量产的存储厂商，打破三星、SK 海力士长期垄断高端移动内存的格局证券时报。
本次消息为国产存储十年发展里程碑事件：长鑫存储 2016 年 DRAM 项目落地，此前仅能跟进 LPDDR4、LPDDR5 成熟代际产品，而 LPDDR6 是 JEDEC 2024 年正式发布的下一代移动端内存标准，长鑫直接同步海外巨头研发节奏，首次在新一代高端存储赛道参与首轮全球竞争，不再滞后海外厂商 1-2 代技术周期。

二、产品完整硬件技术参数

  1. 颗粒规格：单颗存储颗粒容量 16Gb；
  2. 传输速率：设计峰值速率 12800Mbps，搭配手机 SoC 芯片稳定基础运行速率 10667Mbps；
  3. 封装方案：1295Ball POP 堆叠封装，内存颗粒直接堆叠在处理器上方，缩短信号传输路径、节省主板空间，适配轻薄旗舰手机、平板、便携 AIPC；
  4. 架构升级：采用双 12-bit 独立子通道设计，对比上代 LPDDR5X 单 16-bit 通道，AI 多任务并行带宽提升约 60%，空载时可单独关闭一组通道降低功耗；
  5. 能效与可靠性：全流程优化低压电路设计，整体功耗较 LPDDR5X 下降 18%；强化 RAS 故障纠错机制，降低端侧 AI 大模型持续运算时的内存误码率，适配本地多模态 AI 绘图、实时翻译、高清视频渲染等高负载场景。

三、产品研发全流程节点梳理

  1. 2024 下半年：长鑫存储启动 LPDDR6 自研立项，完成底层电路架构设计；
  2. 2025 全年：流片、基础颗粒电性测试、功耗仿真迭代；
  3. 2026 年 3 月：完成工程样片制作，向小米、国内安卓旗舰品牌、AI 便携设备厂商批量送样；
  4. 2026 年 7 月底 - 8 月初：完成跨平台软硬件兼容、高低温、耐久老化全项验证，研发验证阶段收官；
  5. 2026 下半年规划：启动产线良率爬坡、小批量供货客户测试，年末逐步扩大产能放量。

四、全球竞品对标格局

  1. SK 海力士：同期公布 LPDDR6 量产计划，量产窗口同样锁定 2026 下半年，优先供应海外高端旗舰机型；韩厂当前战略倾斜 HBM 高带宽存储，移动 LPDDR 产能小幅收缩，给长鑫留出国产终端替代窗口期；
  2. 三星电子：LPDDR6 样品已交付苹果测试，量产节奏略晚于长鑫、海力士，预计 2027 年初大规模出货；
  3. 美光：LPDDR6 研发进度滞后，2027 年上半年才具备送样能力。
    行业机构测算，若长鑫下半年顺利量产，国内安卓旗舰、国产 AIPC 将率先搭载国产 LPDDR6，终端供应链摆脱对韩系存储单一依赖。

五、产业价值与市场影响解读

  1. 供应链自主层面
    移动 LPDDR 全球年市场规模超 600 亿美元，占 DRAM 整体市场 40%，也是手机、端侧 AI 核心刚需零部件。过去国内高端手机全部采用三星、海力士 LPDDR5X，长鑫 LPDDR6 落地实现国产高端移动内存从 0 到 1 突破，完善存储全产业链自主可控能力。
  2. 消费电子与 AI 产业
    当前手机端侧大模型、本地生成式 AI 对内存带宽、低功耗要求大幅提升，LPDDR6 是下一代旗舰终端标配硬件。国产自研方案可降低终端整机采购成本，推动平价 AI 手机普及。
  3. 资本市场存储板块影响
    8 月 2 日 A 股存储板块开盘异动，机构观点分化：
  • 利好逻辑：长鑫突破高端 LPDDR6，验证国产 DRAM 技术迭代能力，拉动上游光刻、靶材、封装设备国产替代需求；
  • 谨慎逻辑：下半年仅小批量试产，大规模放量、盈利兑现需等到 2027 年，短期以题材行情为主。

六、行业澄清关键误区

市场存在两大概念混淆，产业链统一纠正：
  1. LPDDR6≠PC 端 DDR6：台式机、服务器标准 DDR6 行业标准尚未定稿，预计 2028-2029 年商用，长鑫暂无 DDR6 量产计划；LPDDR6 仅面向移动低功耗设备；
  2. 本次仅完成研发验证，并非正式官宣发布、大规模量产，量产良率、客户大规模采购订单仍需后续 3-6 个月落地确认。

七、海外媒体同步报道（韩国《Digital Focus》8 月 2 日外文报道摘要）

韩国存储行业媒体指出，长鑫存储 LPDDR6 进入量产前置阶段，标志中国存储企业正式切入由三星、SK 海力士垄断十余年的高端移动 DRAM 赛道。过去海外厂商依靠代际技术差压制国产存储，如今长鑫同步追赶新一代标准，未来全球移动存储价格竞争、供应链格局将迎来重大改变，韩厂移动内存业务承压明显。

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全球存储芯片板块集体暴跌，国产存储逆势走强

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