SK 海力士联合闪迪正式发布全球首套 HBF 高带宽闪存开放标准
发布时间:2026-08-05
一、事件基本概况当地时间 2026 年 8 月 4 日,闪存峰会 FMS 2026在美国加州圣克拉拉会展中心开幕,SK 海力士官方官宣,携手闪迪(Sandisk)对外发布HBF(High Bandwidth Flash,高带宽闪存)行业首份标准规范,标准经由 OCP 开放数据中心联盟公开发布,面向全行业开放使用,不属于企业私有技术壁垒。该成果是双方项目长期推进的阶段性产物:2025 年
一、事件基本概况
当地时间 2026 年 8 月 4 日,闪存峰会 FMS 2026在美国加州圣克拉拉会展中心开幕,SK 海力士官方官宣,携手闪迪(Sandisk)对外发布HBF(High Bandwidth Flash,高带宽闪存)行业首份标准规范,标准经由 OCP 开放数据中心联盟公开发布,面向全行业开放使用,不属于企业私有技术壁垒。
该成果是双方项目长期推进的阶段性产物:2025 年 8 月启动标准化合作、2026 年 2 月组建 HBF 产业联盟,历时 6 个月打磨落地;目前谷歌、Tenstorrent 两家企业已加入联盟参与适配验证,生态阵营初步成型。峰会首日 SK 海力士副社长金千成、姜郁成发表主题演讲,围绕 “分层内存架构” 解读下一代 AI 基础设施方案,还联合谷歌 DeepMind、闪迪开展圆桌论坛,聚焦 “HBF 破解 AI 算力‘内存墙’瓶颈” 展开研讨电子工程专...。
二、官方公布核心技术参数
- 堆叠与容量:标准划定 8 层、16 层两种 NAND 闪存堆叠架构,单颗芯片最高容量可达512GB;
- 带宽分级:分为 Grade1—Grade3 三个性能档位,传输速率区间0.4TB/s~3.0TB/s,可匹配不同算力场景;
- 互联接口:原生兼容UCIe 芯粒高速互联协议,能够直接对接 GPU、CPU 等异构计算芯片,打通不同类型算力硬件的数据传输通道;
- 配套展品:同期展台首发第十代 375 层 4D NAND 闪存,性能功耗比较上代提升 2.5 倍,为 HBF 规模化量产提供底层硬件支撑SK hynix N...。
三、产品定位与产业价值
HBF 开辟出HBM 高带宽内存、SSD 固态硬盘之间的全新中间存储层级,补足现有存储架构短板:
- HBM 速度极快但单价昂贵、单颗主流容量仅 36–96GB;SSD 容量充足但带宽偏低;
- HBF 依托 NAND 闪存实现大容量部署,同时拥有接近 HBM 的高速吞吐能力,用闪存的成本实现准 HBM 级带宽,精准适配 AI 推理场景海量冷热数据高频读写的刚需,能够降低 AI 集群整体存储采购成本、缓解算力集群内存带宽瓶颈。
四、国内外产业格局与对标动态
海外层面
韩美企业率先锁定 HBF 赛道标准话语权,三星、美光后续大概率跟进适配规范,快速抢占海外云厂商 AI 推理服务器供应链;谷歌计划在自有数据中心开展小规模试点验证,推动标准商用落地。
国内层面
- 长江存储深耕 Xtacking 架构 NAND 闪存、跻身全球闪存第一梯队,后续可对接 HBF 开放标准参与生态竞争;
- 长鑫科技聚焦 DRAM 赛道推进 LPDDR6 量产,与 HBF 形成差异化布局;
- 国内算力厂商、存储芯片企业将面临两条路径:一是适配海外开放 HBF 标准融入全球生态,二是同步探索国产同类高带宽闪存技术路线,规避单一标准依赖风险。
五、行业长期影响
HBF 标准落地标志全球存储行业正式形成HBM(高速内存)—HBF(高带宽闪存)—SSD(大容量固态)三层架构,AI 算力集群的分层存储设计将成为主流趋势;未来服务器架构设计、芯片互联方案、闪存堆叠工艺都会围绕该新标准迭代重构,存储芯片赛道的竞争维度进一步拓宽。
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